绝缘栅场效应管好坏的判别

  用万能表RX1K 挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。如果出现两次及两次以上电阻值较小（几乎为0XKΩ），则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小（一般为数百欧），其余各次测量电阻均为无穷大，还需作进一步判断（注意，以上测量方法适用于内部无保护二极管的MOS管）。以N沟道管为例，可依次做下述测量，以判定管子是否良好。

（1）将万用表置于RX1K挡。先将被测MOS管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为千欧。具体操作如图6-10所示。

（2）先用导线短接G与S,将万用表置于RX10K档，红表笔接S，黑表笔接D，阻值应接近无穷大，否则说明MOS管内部PN结构的反向特性比较差。具体操作如图6-11所示。

（3）紧接上术测量，将G与S 间短路线去掉，表笔位置不动，将D与G 短接一下再脱开，相当于给栅极注入了电荷，些时阻值应大幅度减小并稳定在某一阻值。些阻值越小说明跨导值越高，管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明MOS管子的跨导值较小。具体测试操作如图6-12所示。

  此步测试时需要注意的是，万用表的电阴挡一定要选用RX10K的高阻挡，这时表内电压较高，阻值变化比较明显。如果使用RX1K 或RX100 挡，会因表内电压较低而不能进行正常测试。

（4）紧接上述操作，表笔不动，电阻值维持在某一数值，用镊子等导电物将G与S短接一下，给栅极放电，万用表指针应立即向左转至无穷大。具体操作如图6-13所示。

  上述测量方法是针对N沟道MOS场效应管而言，若测量P沟道管，则应将两表笔位置调换。